随手笔记

Crystal Considerations with Dallas Real-Time Clocks (RTCs) Abstract: This application note describes crystal selection and layout techniques for connecting a 32,768Hz crystal to a real-time clock (RTC). It also provides information about oscillator circuit-design criteria, system design, and manufacturing issues. Oscillator Basics The oscillator used in Dallas Semiconductor RTCs is a CMOS inverter variation of a Pierce-type oscillator. Figure 1 shows a general configuration. These RTCs include integrated load capacitors (C L 1 and C L 2) and bias resistors. The Pierce oscillator utilizes a crystal operating in parallel-resonance mode. Crystals used in parallel-resonance mode will be specified for a certain frequency with a specific load capacitance. For the oscillator to run at the correct frequency, the oscillator circuit must load the crystal with the correct capacitive load. Figure 1. RTC osci

搞无线和通信经常要碰到的dBm, dBi, dBd, dB, dBc   1、dBm dBm是一个考征功率绝对值的值，计算公式为：10lgP（功率值/1mw）。           [例1] 如果发射功率P为1mw，折算为dBm后为0dBm。             [例2] 对于40W的功率，按dBm单位进行折算后的值应为：                      10lg（40W/1mw)=10lg（40000）=10lg4+10lg10+10lg1000=46dBm。 2、dBi 和dBd dBi和dBd是考征增益的值（功率增益），两者都是一个相对值， 但参考基准不一样。dBi的参考基准为全方向性天线，dBd的参考基准为偶极子，所以两者略有不同。一般认为，表示同一个增益，用dBi表示出来比用dBd表示出来要大2. 15。            [例3] 对于一面增益为16dBd的天线，其增益折算成单位为dBi时，则为18.15dBi（一般忽略小数位，为18dBi）。             [例4] 0dBd=2.15dBi。            [例5] GSM900天线增益可以为13dBd（15dBi），GSM1800天线增益可以为15dBd（17dBi)。 3、dB dB是一个表征相对值的值，当考虑甲的功率相比于乙功率大或小多少个dB时，按下面计算公式：10lg（甲功率/乙功率）            [例6] 甲功率比乙功率大一倍，那么10lg（甲功率/乙功率）=10lg2=3dB。也就是说，甲的功率比乙的功率大3 dB。            [例7] 7/8 英寸GSM900馈线的100米传输损耗约为3.9dB。            [例8] 如果甲的功率为46dBm，乙的功率为40dBm，则可以说，甲比乙大6 dB。            [例9] 如果甲天线为12dBd，乙天线为14dBd，可以说甲比乙小2 dB。 4、dBc 有 时也会看到dBc，它也是一个表示功率相对值的单位，与dB的计算方法完全一样。一般来说，dBc 是相对于载波（Carrier）功率而言，在许多情况下，用来度量与载波功率的相对值，如用来度量干扰（同频干扰、互调干扰、交调干扰、带外干扰等）以及 耦合、杂散等的相对量值。 在采

将dBm转换为W的口算方法 湖北省无委办随州市管理处　熊斌 　　dBm是一个表示功率绝对值的值（也可以认为是以1mW功率为基准的一个比值），计算公式为：10log（功率值/1mw）。 　　这里将dBm转换为W的口算规律是要先记住"1个基准"和"2个原则"： 　　"1个基准"： 　　30dBm＝1W 　　"2个原则"： 　　1)＋3dBm，功率乘2倍；－3dBm，功率乘1/2 　　举例：33dBm＝30dBm+3dBm＝1W×2=2W 　　　　　27dBm＝30dBm－3dBm＝1W×1/2=0.5W 　　2)＋10dBm，功率乘10倍；－10dBm，功率乘1/10 　　举例：40dBm＝30dBm+10dBm＝1W×10=10W 　　　　　20dBm＝30dBm－10dBm＝1W×0.1=0.1W 　　以上可以简单的记作：30是基准，等于1W整，互换不算难，口算可完成。加3乘以2，加10乘以10；减3除以2，减10除以10。 　　几乎所有整数的dBm都可用以上的"1个基准"和"2个原则"转换为W。 　　例1：44dBm=?W 　　　　 44dBm=30dBm+10dBm+10dBm－3dBm－3dBm 　　　　　　　=1W×10×10×1/2×1/2 　　　　　　　=25W 　　例2：32dBm=?W 　　　　 32dBm=30dBm+3dBm+3dBm+3dBm+3dBm－10dBm 　　　　　　　=1W×2×2×2×2×0.1 　　　　　　　=1.6W 　　计算技巧： 　　+1dBm和+2dBm的计算技巧 　　+1dBm=+10dBm－3dBm－3dBm－3dBm 　　　　　=X×10×1/2×1/2×1/2 　　　　　=X×1.25 　　+2dBm=－10dBm+3dBm+3dBm+3dBm+3dBm 　　　　　=X×0.1×2×2×2×2 　　　　　=X×1.6 　　在计算中，有时候也可以根据上面的规律变换为－1dBm和－2dBm，达到快速口速的目的，即： 　　－1dBm=－10dBm+3dBm+3dBm+3dBm 　　　　　=X×0.1×2×2×2 　　　　　=X×0.8 　　－2dBm=－3dBm+1dBm 　　　　　=

【PCB信息网】-CAD/CAM-过孔对信号传输的影响 过孔对信号传输的影响 一．过孔的基本概念 　　过孔（via）是多层PCB的重要组成部分之一，钻孔的费用通常占PCB制板费用的30%到40%。简单的说来，PCB上的每一个孔都可以称之为过孔。 　 　从作用上看，过孔可以分成两类：一是用作各层间的电气连接；二是用作器件的固定或定位。如果从工艺制程上来说，这些过孔一般又分为三类，即盲孔 (blind via)、埋孔(buried via)和通孔(through via)。盲孔位于印刷线路板的顶层和底层表面，具有一定深度，用于表层线路和下面的内层线路的连接，孔的深度通常不超过一定的比率(孔径)。埋孔是指位 于印刷线路板内层的连接孔，它不会延伸到线路板的表面。上述两类孔都位于线路板的内层，层压前利用通孔成型工艺完成，在过孔形成过程中可能还会重叠做好几 个内层。第三种称为通孔，这种孔穿过整个线路板，可用于实现内部互连或作为元件的安装定位孔。由于通孔在工艺上更易于实现，成本较低，所以绝大部分印刷电 路板均使用它，而不用另外两种过孔。以下所说的过孔，没有特殊说明的，均作为通孔考虑。 　　从设计的角度来看，一个过孔主要由两个部分组 成，一是中间的钻孔（drill hole）,二是钻孔周围的焊盘区。这两部分的尺寸大小决定了过孔的大小。很显然，在高速,高密度的PCB设计时，设计者总是希望过孔越小越好，这样板上 可以留有更多的布线空间，此外，过孔越小，其自身的寄生电容也越小，更适合用于高速电路。但孔尺寸的减小同时带来了成本的增加，而且过孔的尺寸不可能无限 制的减小，它受到钻孔(drill)和电镀（plating）等工艺技术的限制：孔越小，钻孔需花费的时间越长，也越容易偏离中心位置；且当孔的深度超过 钻孔直径的6倍时，就无法保证孔壁能均匀镀铜。比如，如果一块正常的6层PCB板的厚度（通孔深度）为50Mil，那么，一般条件下PCB厂家能提供的钻 孔直径最小只能达到8Mil。随着激光钻孔技术的发展，钻孔的尺寸也可以越来越小，一般直径小于等于6Mils的过孔，我们就称为微孔。在HDI（高密度 互连结构）设计中经常使用到微孔，微孔技术可以允许过孔直接打在焊盘上（Via-in-pad），这大大提高了电路性能，节约了布线空间。 　 　过孔在传输线上表现为阻抗不连续的断点，会造成信号的反射。一般过